9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB022N04LGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB022N04LGATMA1参考价格为0.82660美元。Infineon Technologies IPB022N04LGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK。您可以下载IPB022N04LGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB021N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2，包括IPB021NO6系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB021NO 6N3GATMA1的部件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为80 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为206nC，前向跨导Min为184 S 92 S，信道模式为增强。
IPB021N04NG，带有INFINEON制造的用户指南。IPB021N04NG采用SOT-263-7封装，是IC芯片的一部分。
IPB021N06N3G，带有INF制造的电路图。IPB021NO6N3G在SOT263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB022N04LG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB022N04LG在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
