9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB023N06N3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB023N06N3GATMA1参考价格$1.524。Infineon Technologies IPB023N06N3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7。您可以下载IPB023N06N3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB023N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6，包括IPB023NO6系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB023NO 6N3GATMA1的部件别名，该设备提供单位重量功能，如0.056438盎司，封装盒设计用于to-263-7，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单奎因源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有214 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为90 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为2.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为31ns，沟道模式为增强。
IPB022N04LG，带有INFINEON制造的用户指南。IPB022N04LG在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB023N04NG，带有INF制造的电路图。IPB023NO4NG在SOT263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB023N06N3G，带有INF/EDA/CAD型号。IPB023NO6N3G采用TO-263-7封装，是FET的一部分-单体。
