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IPB038N12N3 G是MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB038N1 2N3GATMA1 IPB038N 2N3GXT SP000694160，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为158nC，正向跨导Min为165S 83S。
IPB038N12N3GATMA1是MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPB038N12，以及G IPB038N1 2N3GXT SP000694160部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-263-3，该设备提供1信道数信道。
IPB038N12N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPB038N12N3G在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPB039N04L G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB039N04L G在TO263封装中提供，是FET的一部分-单个。
