9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB052N04NGAMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB052N04GATMA1参考价格$5.134。Infineon Technologies IPB052N04NGAMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK。您可以下载IPB052N04NGAMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB052N04NGAMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB052N04N G是MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2，包括IPB052NO4系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB052NO 4NGAMA1的部件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为3.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-电源电阻为5.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IPB051NE8NG，带有INFINEON制造的用户指南。IPB051NE8NG采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
IPB051NE8NG（051NE8N），带有INFINEON制造的电路图。IPB051NE8NG（051NE8N）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IPB052N04NG，带有INF/EDA/CAD型号。IPB052NO4NG采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
