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IPB065N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB065N1 5N3GATMA1 IPB065N3GXT SP000521724，提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-263-7包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单Quint配置源，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为130A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPB065N15N3GATMA1是MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3，包括0.056438盎司单位重量，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及XPB065N15系列，该设备也可以用作G IPB065N15N3 IPB065N1 5N3GXT SP000521724部件别名。此外，包装为卷筒式，设备采用TO-263-7包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT。
带有电路图的IPB065N10N3GATMA1，包括TO-263-3封装盒，它们设计为与卷筒封装一起工作。数据表注释中显示了用于G IPB065N1 0N3 SP001232588的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPB065N06L G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK。IPB065N06L G采用TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK、N沟道60V 80B（Tc）250W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
