9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB072N15N3GE8187ATM1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB072N15N3GE8187ATMA1参考价格$5.202。Infineon Technologies IPB072N15N3GE8187ATM1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3。您可以下载IPB072N15N3GE8187ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB072N15N3 G是MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPB072N1 5N3GATMA1 IPB072N 5N3GXT SP000386664的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPB06N03LBG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK。IPB06N03LBG可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK。
IPB072N15N，带有INF制造的电路图。IPB072N25N采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IPB072N15N3G带有INF/EDA/CAD型号。IPB072N25N3G采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
