9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB075N04LGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB075N04LGATMA1参考价格$5.804。Infineon Technologies IPB075N04LGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK。您可以下载IPB075N04LGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB075N04LGATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB072N15N3 G是MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPB072N1 5N3GATMA1 IPB072N 5N3GXT SP000386664的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPB072N15N3GATMA1是MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括0.068654盎司单位重量，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及XPB072N15系列，该设备也可以用作G IPB072N15N3 IPB072N1 5N3GXT SP000386664部件别名。此外，包装为卷筒式，设备采用TO-263-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT。
IPB072N15N，带有INF制造的电路图。IPB072N25N采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IPB072N15N3G带有INF/EDA/CAD型号。IPB072N25N3G采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
