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IPB080N03L G是MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB080NO3LGATMA1 IPB080NO 3LGXT SP000304104，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为47 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.8 ns，上升时间为3.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.6ns，沟道模式为增强。
IPB07N03L，带有INFINEON制造的用户指南。IPB07N03L采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
IPB07N03L E3045A，带有INFINEON制造的电路图。IPB07N03L E3045A采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
IPB07N03LAG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB07N03LAG采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
