9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB093N04LGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB093N04LGATMA1参考价格0.52美元。Infineon Technologies IPB093N04LGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK。您可以下载IPB093N04LGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB090N06N3 G是MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPB090NO6N3GATMA1 IPB090NO 6N3GXT SP000398042的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为71 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
IPB093N04L G，带有Infineon制造的用户指南。是FET的一部分-单个。
IPB093N04L G，带有INF制造的电路图。IPB093NO4L G以TO-263封装形式提供，是FET的一部分-单个。
IPB093N04LG，带有INF/EDA/CAD模型。IPB093NO4LG采用SOT263封装，是FET的一部分-单体。
