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IPB22N03S4L-15是MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB22N03 S4L15ATMA1 IPB22N04 S45XT SP000275308，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为31 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
IPB230N06L3 G是MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IPB230N06系列，该器件的上升时间为3 ns，漏极电阻Rds为23 mOhms，Pd功耗为36 W，零件别名为IPB230 N06L3GATMA1，包装为卷筒，包装箱为TO-263-3，信道数为1信道，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为30 A，下降时间为3 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IPB22N03S4-15，带有INF制造的电路图。IPB22N03 S4-15采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IPB230N06L3G，带有INF/EDA/CAD型号。IPB230NO6L3G采用SOT263封装，是FET的一部分-单个。
