9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB60R520CPATM1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB60R520CPATM1参考价格为0.48美元。Infineon Technologies IPB60R520CPATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK。您可以下载IPB60R520CPATM1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB60R380C6是MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R180C6ATMA1 IPB60R280C6XT SP000660634，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为340mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为32nC。
IPB60R385CP是MOSFET N-CH 600V 9A TO-263，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为5 ns，漏极源极电阻Rds为385 mOhms，Pd功耗为83 W，部件别名为IPB60R385CPATMA1 IPB60R185CPXT SP000228365，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB60R520CP是MOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括增强通道模式，它们设计为单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供Id连续漏极电流特性，如6.8 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为IPB60R520CPATMA1 SP000405868，Pd功耗为66W，漏极电阻Rds为520mOhms，上升时间为12ns，系列为CoolMOS CP，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPB60R380P6ATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3包装箱，它们设计为使用Si技术操作。包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPB60R480P6 SP001364472。
