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IPB60R385CP是MOSFET N-CH 600V 9A TO-263，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R185CPATMA1 IPB60R285CPXT SP000228365，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为385mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPB60R520CP是MOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为74 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为12ns，漏极源极电阻Rds为520mOhms，Pd功耗为66W，部件别名为IPB60R520CPATMA1 SP000405868，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6.8 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的IPB60R380P6ATMA1，包括TO-263-3包装箱，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R480P6 SP001364472，提供Si等技术特性。
