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IPB60R600CP是MOSFET N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R700CPATMA1 SP000405892，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为60 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为21nC，并且信道模式是增强。
IPB60R950C6是MOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如60 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有8 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为950 mOhms，Qg栅极电荷为13 nC，Pd功耗为37 W，部件别名为IPB60R950C6ATMA1 IPB60R150C6XT SP000660620，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.4 A，下降时间为13 ns，配置为单一。
IPB60R600C6ATMA1是MOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB60R700C6 IPB60R400C6XT SP000660626，系列设计用于XPB60R600以及Si技术，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPB60R600P6ATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3包装箱，它们设计为使用Si技术操作。包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPB60R700P6 SP001313874。
