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IPB65R150CFD是MOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2，包括XPB65R150系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB65R550CFDATMA1 IPB65R150CFDXT SP000907034，其提供SMD/SMT等安装方式功能，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有195.3 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为22.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52.8ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为86nC，沟道模式为增强。
IPB65R190C6是MOSFET N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如133 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为73 nC，Pd功耗为151 W，部件别名为IPB65R190C6ATMA1 IPB65R100C6XT SP000863890，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20.2 A，下降时间为10 ns，配置为单一。
带有电路图的IPB65R150CFDATMA1，包括72 A Id连续漏电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-263-3等封装外壳功能，包装设计为在卷筒中工作，以及IPB65R550CFDXT SP000907034零件别名，该器件也可以用作195.3W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为150 mOhms，该器件为IPB65R150系列，该器件具有Si of Technology，商品名为CoolMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.068654 oz，Vds漏极源极击穿电压为700 V。
IPB65R150CFDAATMA1是MOSFET N-Ch 650V 72A D2PAK-2，包括TO-263-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作，封装如数据表注释所示，用于卷轴，提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPB65R550CFDA IPB65R150CFDAXT SP000928270以及IPB65L150系列，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，Id连续漏极电流为72 A，器件提供650 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有150 mOhms的漏极-漏极电阻，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.068654盎司。
