9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB65R280C6ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB65R280C6ATMA1参考价格为1.05000美元。Infineon Technologies IPB65R280C6ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK。您可以下载IPB65R280C6ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB65R225C7带有引脚细节，包括XPB65R225系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB65R225C7ATMA1 SP000992480，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该设备也可以用作to-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为63 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为225mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为20nC，并且信道模式是增强。
带用户指南的IPB65R225C7ATMA1，包括3.5 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于700 V，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，典型开启延迟时间设计为9 ns，以及48 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为XPB65R225，上升时间为6 ns，漏极-源极电阻Rds为225 mOhm，Qg栅极电荷为20 nC，Pd功耗为63 W，部件别名为IPB65R225C7 SP000992480，包装为卷筒，封装外壳为TO-263-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为41 A，下降时间为10 ns，配置为单一。
IPB65R280C6是MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括单一配置，它们设计为在12 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了13.8A中使用的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有IPB65R280C6ATMA1 IPB65R280C6XT SP000745030部件别名，Pd功耗为104W，Qg栅极电荷为45nC，Rds漏极源极电阻为280mOhms，上升时间为11ns，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为105nS，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极电压为20V。
