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IPB65R310CFDA是MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2，包括XPB65R310系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPB65R510CFDAATMA1 IPB65R410CFDAXT SP000879440中使用的数据表注释中，该IPB65R110CFDAXTSP00087940提供了SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于PG-TO263以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有104.2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为7 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为11.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为310欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为41nC，沟道模式为增强。
IPB65R380C6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如110纳秒，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为380 mOhms，Qg栅极电荷为39 nC，Pd功耗为83 W，部件别名为IPB65R380C6ATMA1 IPB65C380C6XT SP000785084，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为10.6 A，下降时间为11 ns，配置为单一。
IPB65R310CFDAATMA1是MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2，包括11.4 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-263-3的封装情况，该封装提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB65R110CFDAXT SP000879440，该器件还可以用作IPB65R310系列。此外，该技术为硅，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
IPB65R310CFDATMA1，带EDA/CAD型号，包括XPB65R310系列，设计用于to-263-3封装外壳，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计用于N通道，以及IPB65R510CFD IPB65R110CFDXT SP000745032零件别名，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
