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2N7640-GA
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2N7640-GA

  • 描述:漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc）（155摄氏度） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-276 工作温度: -55摄氏度~225摄氏度（TJ）
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥31.94119
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥31.94
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 场效应管类型 -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 技术 碳化硅结型晶体管
  • 最大功耗 330W (Tc)
  • 工作温度 -55摄氏度~225摄氏度（TJ）
  • 供应商设备包装 TO-276
  • 包装/外壳 至276AA
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1534 pF@35 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）（155摄氏度）
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@16A
  • 色彩/颜色 黑色

2N7640-GA 产品详情

9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的2N7640-GA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7640-GA参考价格$4.41。GeneSiC半导体2N7640-GA封装/规格：TRANS SJT 650V 16A TO276。您可以下载2N7640-GA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如2N7640-GA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

2N7637-GA是双极晶体管-BJT SiC高温SJT 650V 7A 225℃，包括2N76系列，它们设计用于散装封装，技术如数据表注释所示，用于SiC。

2N7638-GA是双极晶体管-BJT SiC高温SJT 650V 8A 225℃，包括SiC技术，它们设计为与2N76系列一起工作，包装如数据表注释所示，用于散装。

2N7639-GA是双极晶体管-BJT SiC高温SJT 650V 15A 225℃，包括散装封装，它们设计为与2N76系列一起工作。数据表注释中显示了用于SiC的技术。

2N7640-GA 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
2N7000RLRP2N7000RLRP安盛美 (onsemi)MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92¥0.28972
2N7002CK,2152N7002CK,215恩智浦 (NXP)MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23¥0.14486
2N7002BKV,1152N7002BKV,115恩智浦 (NXP)MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666¥0.36215
2N7002E,2152N7002E,215恩智浦 (NXP)MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23¥0.28972
2N7002KQBZ2N7002KQBZ安世半导体 (Nexperia)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥2.89716
2N7002K 72K2N7002K 72K江苏长电/长晶 (CJ)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA¥0.18708
2N7002（丝印12W）2N7002（丝印12W）时科 (SHIKUES)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA¥0.09601
2N7002-HXY2N7002-HXY华轩阳电子 (HXY MOSFET)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A¥0.1106
2N7002KD2N7002KD富芯森美 (FUXINSEMI)类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA¥0.21651
2N7002T-MS2N7002T-MS美森科 (MSKSEMI)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW¥0.16258
2N7640-GA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7640-GA 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7640-GA价格参考￥31.941189，你可以下载 2N7640-GA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7640-GA规格参数、现货库存、封装信息等信息！

基因半导体公司 (GeneSiC)

基因半导体公司 (GeneSiC)

GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者，同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。

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