9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ023N04LSATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ023N04LSATMA1参考价格为1.024美元。Infineon Technologies BSZ023N04LSATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON。您可以下载BSZ023N04LSATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ019N03LS是MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于BSZ019N03LSATMA1 BSZ019NO3LSXT SP000792362的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS以及8-PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3），配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2800pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为22A（Ta）。40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.9 mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为44nC@10V，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.6 ns，上升时间为6.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V至2V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型导通延迟时间为5.4ns，Qg栅极电荷为44nC，并且正向跨导Min为140S。
BSZ018NE2LSIXT是MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS，包括1.2 V至2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间功能，如5.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为4.4 ns，漏极-源极电阻Rds为1.8 mOhms，Qg栅极电荷为39 nC，Pd功耗为69 W，部件别名为BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032，包装为卷筒，包装盒为TSDSON-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为140 S，下降时间为3.4 ns，配置为单四漏三源。
带有电路图的BSZ019N03LSATMA1，包括1个通道数的通道，它们设计为与TSDSON-8封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供了部件别名功能，如BSZ019NO3LS BSZ019NO 3LSXT SP000792362，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
