9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB80N07S405ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB80N07S405ATMA1参考价格为1.21000美元。Infineon Technologies IPB80N07S405ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH TO263-3。您可以下载IPB80N07S405ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB80N06S4L-07是MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB80N64L07ATMA1 IPB80N86S4L07ATMA 2 IPB80M06S4L07XT SP001028674，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为58nC。
IPB80N06S4L07ATMA2，带有用户指南，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.068654 oz单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性特性，如N通道，技术设计为在Si中工作，以及IPB80N6S4L系列，该器件也可以用作6.4毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPB80N06S4L-07 IPB80N6S4L07XT SP001028674，该设备采用卷筒包装，该设备具有TO-263-3包装箱，通道数为1通道，Id连续漏电流为80 a。
IPB80N06S4L-07（4N06L07），带有INFINEON制造的电路图。IPB80N06S4L-07（4N06L07）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
