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IPB50R199CP是MOSFET N-CH 550V 17A TO-263，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB50R1 99CPATM1 IPB50R 99CPXT SP000236092，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为139 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPB50R250CP是MOSFET N-CH 550V 13A TO-263，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在550 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14ns，漏极电阻Rds为250mOhms，Pd功耗为114W，部件别名为IPB50R250CPATMA1 IPB50R150CPXT SP000236093，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB50R299CP是MOSFET N-CH 550V 12A TO-263，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了12 ns的下降时间，提供了12 a等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为IPB50R299CPATMA1 IPB50R199CPXT SP000236094，Pd功耗为104 W，漏极电阻Rds为299 mOhms，上升时间为14 ns，系列为CoolMOS CP，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPB50R199CPATMA1是MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括XPB50R199系列，它们设计为与to-263-3封装外壳一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该封装提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计为在N沟道中工作，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
