9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB60R250CPATM1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB60R250CPATM1价格参考1.37000美元。Infineon Technologies IPB60R250CPATM1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3。您可以下载IPB60R250CPATM1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB60R250CP是MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R150CPATMA1 IPB60R2 50CPXT SP000358140，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为40ns，沟道模式为增强。
IPB60R199CPA是MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.068654盎司单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、，该器件也可以用作CoolMOS CPA系列。此外，Rds漏极源极电阻为199 mOhms，该器件采用IPB60R199CPATMA1 IPB60R1 99CPXT SP000539966零件别名，该器件具有一个包装卷，包装盒为TO-263-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为16 a。
带电路图的IPB60R199CPATMA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，提供了部件别名功能，如IPB60R1 99CP IPB60R2 99CPXT SP000223256，系列设计为在XPB60R199以及Si技术中工作，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPB60R230P6ATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3包装箱，它们设计为使用Si技术操作。包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如IPB60R130P6 SP001364466。
