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IPB80N03S4L-03是MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3,包括OptiMOS-T2系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于IPB80N3S4L03ATMA1 IPB80N53S4L3XT SP000274982,其提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为94 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为6 ns,Vgs栅极-源极电压为16V,Id连续漏极电流为80A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为37ns,典型接通延迟时间为9ns,沟道模式为增强型。
IPB80N03S4L03ATMA1和用户指南,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了XPB80N03等系列功能,零件别名设计用于IPB80N3S4L-03 IPB80R03S4L03XT SP000274982以及卷筒包装,该装置也可用作TO-263-3包装箱。此外,信道数为1信道。
IPB80N04S2-04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3。IPB80N04S2-04提供TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3。
IPB80N04S2-04(2N0404),带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB80N04S2-04(2N0404)采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。