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IPB80N04S2-H4是MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB80R04S2H4ATMA1 IPB80M04S2H4XT SP000218165，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为63 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为23ns，沟道模式为增强。
IPB80N04S204ATMA2，带有用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了部件别名功能，如IPB80R04S2-04 SP001063636，包装设计为在卷筒中工作，以及to-263-3包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPB80N04S2-04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3。IPB80N04S2-04提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3。
IPB80N04S2-04（2N0404），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB80N04S2-04（2N0404）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
