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IPB80N04S2L-03是MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB80R04S2L03ATMA1 IPB80M04S2L03XT SP000220158，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPB80N04S2-H4是MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为46 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS系列，上升时间为63 ns，漏极源极电阻Rds为3.7 mOhms，Pd功耗为300 W，部件别名为IPB80N04S2H4ATMA1 IPB80R04S2H4XT SP000218165，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB80N04S2H4ATMA2，带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于22 ns，提供Id连续漏电流功能，如80 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-263-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为300W，Qg栅极电荷为103nC，Rds漏极-源极电阻为3.2mOhm，上升时间为63ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为23ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为3V。
IPB80N04S204ATMA2，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表注释中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计为在IPB80R04S2-04 SP001063636以及1 N沟道晶体管类型中工作，该设备也可以用作1信道数信道。
