9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB80N06S205ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB80N6S205ATMA1参考价格$6.526。英飞凌科技IPB80N06S205ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3。您可以下载IPB80N6S205ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB80N06S205ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB80N06S2-05是MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在用于IPB80N6S205ATMA1 IPB8006S205XT SP000218877的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPB80N04S4L-04是MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为12ns，漏极源极电阻Rds为4.2mOhms，Qg栅极电荷为33nC，Pd功耗为71W，部件别名为IPB80N04S4L04ATMA1 IPB80R04L04XT SP000646180，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为80 A，下降时间为12 ns。
IPB80N04S4-03是MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2，包括16 ns的下降时间，它们设计为在80A Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，包装为Reel，该器件以IPB80N04S403ATMA1 IPB80R04S403XT SP000671628部件别名提供，该器件具有94 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为51 nC，漏极-源极电阻Rds为3.3 mOhms，上升时间为12 ns，系列为OptiMOS-T2，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为14ds，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPB80N04S4-04是MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘等封装功能，系列设计用于OptiMOS-T2以及OptiMOS商品名，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，部件别名为IPB80N04S404ATMA1 IPB80R04S404XT SP000646178，该器件的典型关断延迟时间为9 ns，该器件具有80 a的Id连续漏电流，Pd功耗为71 W，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为4.2 mΩ，Qg栅极电荷为33 nC，Vgs栅极-源极电压为20 V，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，典型导通延迟时间为10纳秒，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.13932盎司，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
