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IPB80N06S2H5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 278

  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.82233
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,174.61
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规格参数

  • 包装数量 6
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3-2
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4400 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 155 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 230A
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.2毫欧姆 @ 80A, 10V
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 色彩/颜色 蓝色

IPB80N06S2H5ATMA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET系列

光学MOS™ 产品以高性能封装提供,以应对最具挑战性的应用,在有限的空间内提供充分的灵活性。这些Infineon产品旨在满足并超过计算应用中的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N通道-增强模式
汽车AEC Q101合格
MSL1最高260°C峰值回流
175°C工作温度
绿色包装(无铅)
超低Rds(开启)

IPB80N06S2H5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB80N06S2H5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB80N06S2H5ATMA1价格参考¥7.822332,你可以下载 IPB80N06S2H5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB80N06S2H5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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