9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB80N06S2L05ATMA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB80N6S2L05ATMA1参考价格$1.828。Infineon Technologies IPB80N06S2L05ATMA1封装/规格:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3。您可以下载IPB80N6S2L05ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如IPB80N06S2L05ATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IPB80N06S2L-05是MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3,包括OptiMOS系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于IPB80N6S2L05ATMA1 IPB80N86S2L05XT SP000219004的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道数信道,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为300 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为90 ns,上升时间为93 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为80A,Vds漏极-源极击穿电压为55V,Rds导通漏极-漏极电阻为4.5m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为67ns,典型接通延迟时间为19ns,沟道模式为增强。
带用户指南的IPB80N06S209ATMA2,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,提供了部件别名功能,如IPB80N6S2-09 SP001061716,包装设计为在卷筒中工作,以及to-263-3包装箱,该设备也可以用作1信道数信道。
带电路图的IPB80N06S2H5ATMA2,包括1个通道数的通道,它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装,该卷盘提供了部件别名功能,如IPB80N6S2-H5 SP000376884,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPB80N06S2-H5带有INF/EDA/CAD模型。IPB80N66S2-H55采用TO-263-2封装,是IC芯片的一部分。