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IPB80N06S2L-07是MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPB80N6S2L07ATMA1 IPB80N86S2L07TTMA3 SP001067890的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为210 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPB80N06S2L-06是MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为21ns，漏极源极电阻Rds为6mOhms，Pd功耗为250W，部件别名为IPB80N06S2L066ATMA1 IPB80N66S2L06TMA2 SP001067880，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB80N6S2L-05是MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了90 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如80A，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为IPB80N06S2L05ATMA1 IPB80N62S2L05XT SP000219004，Pd功耗为300 W，漏极电阻Rds为4.5 mOhms，上升时间为93 ns，系列为OptiMOS，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPB80N6S2L06ATMA2，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表注释中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPB80N06S2L-06 SP001067880，以及1 N沟道晶体管类型，该设备也可以用作1信道数信道。
