9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG8880LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG8880LSS-13参考价格$0.996。Diodes Incorporated DMG8880LSS-13封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP。您可以下载DMG8880LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMG8880LSS-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMG8822UTS-13是MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP，包括DMG8822系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，它提供封装外壳的特点，如8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），该技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在8-TSSOP供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重）公共漏极，最大功率为870mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为841pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，Rds最大Id Vgs为25 mOhm@8.2A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.6nC@4.5V，Id连续漏极电流为6.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为34 mOhm，晶体管极性为N沟道。
DMG8880LK3-13是由DIODES制造的MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L。DMG8880LK3-13采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L、N沟道30V 11A（Ta）1.68W（Ta）表面安装TO-252-3。
DMG8880LSS，电路图由DIODES制造。DMG8880LSS在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
