9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTR4503NST1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTR4503NST1G参考价格为0.766美元。onsemi NTR4503NST1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23。您可以下载NTR4503NST1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTR4503NT1G是MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23，包括NTR4503N系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为420mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为250pF@24V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为110 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为730 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5.8 ns 6.7 ns，上升时间为5.8 ns6.7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为105 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns 13.6ns，典型接通延迟时间为5.8ns 4.8ns，正向跨导最小值为5.3S，信道模式为增强。
NTR4503NST1G带有用户指南，包括Si技术，它们设计用于NTR4505NST1G系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
NTR4503NT1是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23。NTR4503NT1采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 1.5A/SOT-23、N沟道30V 1.5V（Ta）420mW（Ta）表面安装SOT-23-23（TO-236）。
