TPH3206LSB
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 81W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（8x8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 特朗斯峰 (Transphorm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥40.54575
-
数量:
- +
- 总计: ¥40.55
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规格参数
- 包装数量 -
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±18V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 制造厂商 特朗斯峰 (Transphorm)
- 技术 氮化镓
- 包装/外壳 3-电源DFN
- 部件状态 过时的
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@500A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 81W (Tc)
- 供应商设备包装 PQFN（8x8）
- 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆 @ 10A, 8V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 720 pF @ 480 V
TPH3206LSB 产品详情
TPH3205WSBQA 650V 49mΩ氮化镓（GaN）FET是一种常关器件。该设备还通过了汽车电子委员会的汽车认证�AEC-Q101汽车级分立半导体应力测试。Transphorm GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的开关速度和更小的反向恢复电荷提供了更好的效率，与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。TPH3205WSBQA以行业标准3导联TO-247提供，具有通用源封装配置。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| TPHCS250-MAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE HLDR BLADE | ¥4,089.86645 |
| TPHCS800-MAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE HLDR BLADE | ¥4,089.86645 |
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TPH3206LSB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TPH3206LSB 由 特朗斯峰 (Transphorm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TPH3206LSB价格参考￥40.545754，你可以下载 TPH3206LSB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TPH3206LSB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
特朗斯峰 (Transphorm)
Transphorm，Inc.是GaN革命的全球领导者，为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利，是全球最大的功率GaN IP产品...
