9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVB6411ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVB6411ANT4G参考价格为1.58000美元。onsemi NVB6411ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3。您可以下载NVB6411ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVB5860NLT4G是MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MO，包括NVB5860NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有283 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Id连续漏极电流为220 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为98ns，典型接通延迟时间为25ns。
NVB6410ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行。晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于NTB6410AN，以及13 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作188W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，Id连续漏电流为76 a。
NVB60N06T4G是MOSFET NFET 60V.016R TR，包括卷筒包装，它们设计为与NTB60N06系列一起工作，技术如数据表注释所示，用于Si。
