9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVB6413ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVB6413ANT4G参考价格为0.97000美元。onsemi NVB6413ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK-3。您可以下载NVB6413ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVB6410ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH，包括NTB6410AN系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备还可以用作188 W Pd功耗。此外，Id连续漏极电流为76 A，器件提供100 V Vds漏极-源极击穿电压，器件漏极-漏极电阻为13 mOhms，晶体管极性为N沟道。
NVB6412ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20M，包括100V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.139332盎司的单位重量工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用SMD/SMT安装方式，器件具有58A的Id连续漏电流。
NVB6411ANT4G是MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO，包括77 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于to-252-3的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在14 mOhms，以及NTB6411AN系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.13932盎司，器件具有100 V的Vds漏极-源极击穿电压。
