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DMG10N60SCT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 178W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥43.83403
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43.83
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 178W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 750毫欧姆 @ 5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1587 pF @ 16 V

DMG10N60SCT 产品详情


说明:

1.与上一代相比Eoff降低75%,且传导损耗低
2.短路耐受时间–10µs
3.设计用于:
–电机控制
–逆变器
4.适用于600V应用的NPT技术提供:
–非常紧密的参数分布
–高强度、温度稳定性能
–并联切换能力
5.根据JEDEC对目标应用进行认证
6.无铅铅镀层;符合RoHS

引出线:

DMG10N60SCT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMG10N60SCT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG10N60SCT价格参考¥43.834031,你可以下载 DMG10N60SCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG10N60SCT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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