9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG3N60SJ3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG3N60SJ3参考价格为25.886美元。Diodes Incorporated DMG3N60SJ3封装/规格：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251。您可以下载DMG3N60SJ3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG3420U-7是MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，金属氧化物FET型，该器件也可以用作740mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供434.7pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为5.47A（Ta），最大Id Vgs的Rds为29mOhm@6A、10V，Vgs th最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为5.4nC@4.5V。
DMG3420U，带有129K制造的用户指南。DMG3420U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
DMG3420U-7-F，电路图由DIODES制造。DMG3420U-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
