9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB65R420CFDATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB65R420CFDATMA1参考价格0.74663美元。Infineon Technologies IPB65R420CFDATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK。您可以下载IPB65R420CFDATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPB65R420CFDATMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPB65R380C6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6-系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB65R580C6ATMA1 IPB65C380C6XT SP000785084，其提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110nS，Qg栅极电荷为39nC。
IPB65R420CFD是MOSFET N-Ch 650V 8.7A D2PAK-2 CoolMOS CFD2，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CFD2系列，该器件具有7 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为420 mOhms，Qg栅极电荷为32 nC，Pd功耗为83.3 W，部件别名为IPB65R420CFDATMA1 IPB65R520CFDXT SP000890680，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为8.7A，下降时间为8ns，配置为单一。
IPB65R310CFDAATMA1是MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2，包括11.4 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-263-3的封装情况，该封装提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB65R110CFDAXT SP000879440，该器件还可以用作IPB65R310系列。此外，该技术为硅，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
IPB65R310CFDATMA1，带EDA/CAD型号，包括XPB65R310系列，设计用于to-263-3封装外壳，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计用于N通道，以及IPB65R510CFD IPB65R110CFDXT SP000745032零件别名，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管类型为1 N通道，该器件提供1通道通道数。
