9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPD50N03S2L06GBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPD50N03S2L06GBTMA1参考价格为0.72000美元。Infineon Technologies SPD50N03S2L06GBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3。您可以下载SPD50N03S2L06GBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPD50N03S2L-06 G是MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2，包括SPD50N03系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000443924 SPD50N03S 2L06GBTMA1，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
SPD50N03S2-07G，带有INF制造的用户指南。SPD50N03S 2-07G采用TO-252-2封装，是FET的一部分-单体。
SPD50N03S2L-06是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A DPAK。SPD50N03S2L-06采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A DPak、N沟道30V 50B（Tc）136W（Tc）表面安装PG-TO252-3。
SPD50N03S2L-06G，带有infineon制造的EDA/CAD模型。SPD50N03S2L-06G在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
