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SPD01N60C3是MOSFET N-Ch 600V 800mA DPAK-2 CoolMOS C3，包括CoolMOS C3-系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000307382 SPD01N6OC3BTMA1 SPD01N60X3XT，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为11 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
SPD02N50C3是MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为5 ns，Rds漏极源极电阻为3欧姆，Pd功耗为25 W，零件别名为SP000313942 SPD02N50C3BTM1 SPD02N5OC3XT，包装为卷轴式，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.8 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPD.25A，带电路图，包括SP.1615.25.4.A.02，用于相关产品，其设计工作频率为1.615GHz，系列如数据表注释所示，用于Globalstar，提供提供的内容功能，如板，类型设计用于天线。
SPD01N60S5带有INF/EDA/CAD模型。SPD01N6OS5采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分。
