9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMG4N60SJ3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG4N60SJ3参考价格为11.013美元。Diodes Incorporated DMG4N60SJ3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 3A TO251。您可以下载DMG4N60SJ3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG4932LSD-13是MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO，包括DMG4932系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1个通道数，器件具有8-SO供应商器件封装，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.19W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1932pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9.5A，最大Id Vgs的Rds为15 mOhm@9A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为42nC@10V，Pd功耗为1.42W，Id连续漏极电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为18mΩ，晶体管极性为N沟道。
DMG4822SSD-13是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO，包括3V@250μA Vgs和最大Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于20 mOhm@8.5A，10V，提供最大功率功能，如1.42W。包装设计为在Digi-ReelR替代包装中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供478.9pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有10.5nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为10A。
带有电路图的DMG4N60SK3-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMG4N60，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
