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IPB160N08S4-03带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPB160NO8S403ATMA1 SP000989092零件别名，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供PG-TO263-7等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1N信道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供208 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为160 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为112nC，沟道模式为增强。
IPB160N04S4-H1是MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为22 ns，漏极-源极电阻Rds为1.6 mOhms，Qg栅极电荷为105 nC，Pd功耗为167 W，部件别名为IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160NO4S4H1XT SP000711252，包装为卷筒，包装箱为TO-263-7，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为160 A，下降时间为33 ns。
IPB160N04S4H1ATMA1是MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于1信道数量的信道，数据表说明中显示了用于to-263-7的封装情况，该to-263-7提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB160NO4S4-H1 IPB160NO 4S4H1XT SP000711252以及xPB160N04系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.056438盎司。
IPB160N04S4LH1AATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-263-7封装盒，它们设计为使用Si技术操作。数据表注释中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPB160NO4S4L-H1 SP000979640，以及1 N沟道晶体管类型，该设备也可以用作1信道数信道。
