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IPB60R299CPA是MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA，包括CoolMOS CPA系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R199CPATMA1 IPB60R2 99CPXT SP000539970，提供单位重量功能，如0.068654盎司，商品名设计用于CoolMOS，以及to-263-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为96 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPB60R299CPATMA1是MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于CoolMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPB60R299以及IPB60R199CPXT SP000301161部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-263-3，该设备提供1信道数信道。
IPB60R299CPATMA1是MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-263-3封装盒，包装如数据表中所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB60R199CPA IPB60R2 99CPXT SP000539970，系列设计用于XPB60R299，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
