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IPB65R065C7ATMA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于IPB65R65C7 SP001080110零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供CoolMOS等商品名称功能，包装盒设计用于to-263-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供145 A Id连续漏极电流，器件具有700 V Vds漏极-源极击穿电压，漏极-漏极电阻Rds为65 mOhm，晶体管极性为N沟道。
IPB65R095C7ATMA1带有用户指南，包括700 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.068654盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该器件也可以用作95mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPB65R095C7 SP001080124，该设备采用卷筒包装，该设备具有TO-263-3包装箱，信道数为1信道，Id连续漏电流为100 a。
带有电路图的IPB65R095C7，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为使用1通道数量的通道进行操作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB65R995C7ATMA1 SP001080124，Rds漏极源极电阻设计为95 mOhms，以及XPB65R095系列，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为CoolMOS C7，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
