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IPB65R225C7ATMA1带有引脚细节，包括XPB65R225系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB65R225C7 SP000992480，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商标，该设备也可以用作to-263-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为63 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为41A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，第Vgs栅极源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为225mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为20nC。
IPB65R280C6是MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，具有典型的关断延迟时间特性，如105 nS，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPB65R280C6ATMA1 IPB65R880C6XT SP000745030，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
带电路图的IPB65R280C6ATMA1，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-263-3包装箱，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB65R280C6 IPB65R880C6XT SP000745030，系列设计用于XPB65R280，以及Si技术，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
