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IPB80N08S2L-07是MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3,包括OptiMOS系列,它们设计用于卷盘封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPB80N88S2L07ATMA1 IPB80M08S2L07XT SP000219051,其提供单位重量功能,例如0.139332盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为300 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为21 ns,上升时间为55 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为80A,Vds漏极-源极击穿电压为75V,Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为85ns,典型接通延迟时间为19ns,沟道模式为增强。
IPB80N08S2L07ATMA1,带有用户指南,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,提供了XPB80N08等系列功能,零件别名设计用于IPB80M08S2L-07 IPB80N88S2L07XT SP000219051以及卷筒包装,该装置也可用作TO-263-3包装箱。此外,信道数为1信道。
IPB80N08S2L-07(2N0807,带有INFINEON制造的电路图。IPB80N8S2L-07,2N0807可在TO-263封装中获得,是IC芯片的一部分。