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2N7002-G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥129.54651
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥129.55
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大功耗 350mW (Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时为25华氏度
  • 制造厂商 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 250毫安, 10V

2N7002-G 产品详情

2N7002-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002-G 由 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002-G价格参考¥129.546509,你可以下载 2N7002-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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