9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVB6410ANT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVB6410ANT4G参考价格$6.7。onsemi NVB6410ANT4G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK。您可以下载NVB6410ANT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVB5860NLT4G是MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MO，包括NVB5860NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有283 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Id连续漏极电流为220 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为98ns，典型接通延迟时间为25ns。
NVB60N06T4G是MOSFET NFET 60V.016R TR，包括Si技术，它们设计为与NTB60N06系列一起工作，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
NVB35NV04，带有ON制造的电路图。NVB35NV04采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
