9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSG0812NDATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSG0812NDATMA1参考价格$5.894。Infineon Technologies BSG0812NDATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 8TISON。您可以下载BSG0812NDATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSG0811NDATMA1，带引脚细节，包括OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于BSG0811ND SP001075902的零件别名，该产品提供了封装盒功能，如8-PowerTDFN，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装型。此外，供应商设备包为PG-TISON-8，该设备为2 N通道（双）非对称FET型，该设备最大功率为2.5W，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis Vds为1100pF@12V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，25°C的电流连续漏极Id为19A、41A，最大漏极Id Vgs为3mOhm@20A、10V，Vgs th Max Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@4.5V。
带有用户指南的BSG0810NDIATMA1，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于Si技术，数据表说明中显示了用于PG-TISON-8的供应商设备包，该PG-TISON 8提供了OptiMOS？、？，Rds On Max Id Vgs设计为在3 mOhm@20A、10V以及2.5W最大功率下工作，该设备也可以用作BSG0810NDI SP001241674部件别名。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~155°C（TJ），安装类型为表面安装，栅极电荷Qg Vgs为8.4nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏电流Id为19A、39A。
带电路图的BSF-HD，包括9V电池单元尺寸，它们设计用于9V，快速接触（单）电池类型功能，安装类型如数据表注释所示，用于定制，提供电池数量功能，例如，样式设计用于触点快速（正极）。
BSG0811ND是MOSFET，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于BSG0811NDATMA1 SP001075902的零件别名，该产品提供BSG0811等系列功能。
