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BSG0810NDIATMA1
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BSG0810NDIATMA1

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、39A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 25.42257 25.42257
10+ 22.84410 228.44107
100+ 18.35930 1835.93030
500+ 15.08377 7541.88700
1000+ 14.36556 14365.56800
5000+ 14.36556 71827.84000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥22.09085
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 最大功率 2.5瓦
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
  • 场效应管特性 逻辑电平门，4.5V驱动
  • 供应商设备包装 PG-TISON-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
  • 工作温度 -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 19A、39A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1040皮法@12V

BSG0810NDIATMA1 产品详情

光学MOS™ 5电源块是一个5.0x6.0mm²封装外形的无引线SMD封装，包括同步降压转换器配置中的低端和高端MOSFET。通过用OptiMOS替换两个单独的分立封装，如SO8或SuperSO8™ 5电源块，客户可以将其设计缩减至85%。标准化电源包可使客户受益，因为市场上可提供的不同电源包的数量已降至最低。

特色

  • 50A最大平均负载电流
  • 源极向下低侧MOSFET，用于更好的PCB冷却
  • 内部连接的低压侧和高压侧（最低回路电感）
  • 高侧Kelvin连接，实现更高效的驾驶
  • DC-DC转换器的紧凑和简化布局
  • 优化布局，具有最低的回路电感和最佳的热性能

应用

  • 桌面和服务器
  • 单相和多相POL
  • 笔记本电脑和DDR内存中的CPU/GPU调节
  • 高功率密度稳压器

 

 

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器件图
型号
制造商
描述
价格
BSG0811NDATMA1BSG0811NDATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、41A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥9.41649
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BSG0810NDIATMA1BSG0810NDIATMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、39A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度（TJ）¥22.09085
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BSG0810NDIATMA1所属分类：场效应晶体管阵列，BSG0810NDIATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSG0810NDIATMA1价格参考￥22.090845，你可以下载 BSG0810NDIATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSG0810NDIATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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