DMG7401SFGQ-13

Name: DMG7401SFGQ-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7165574-DMG7401SFGQ-13
Price: 57.392740 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta) 最大功耗: 940毫瓦（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
包装/外壳 8-PowerVDFN
漏源电压标 (Vdss) 30伏
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
供应商设备包装 PowerDI3333-8
导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@12A，20V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 10 V
部件状态过时的
漏源电流 (Id) @ 温度 9.8A (Ta)
最大功耗 940毫瓦（Ta）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 20V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2987 pF@15 V
材质 -
色彩/颜色 -

DMG7401SFGQ-13 产品详情

描述

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
应用
•背光
•电源管理功能
•DC-DC转换器
功能和优点
•低RDS（ON）–确保最大程度地减少接通状态损失
•小尺寸的热效率封装可实现更高密度的最终产品
•仅占SO-8占据的板面积的33%，从而实现更小的最终产品
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
•符合AEC-Q101高可靠性标准

（图片：引线/示意图）

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型号	制造商	描述	价格
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DMG1553-2	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.14845
DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
DMG2305UX	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.58748
DMG1013T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：610mΩ@4.5V,550mA	¥0.38002
DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG7401SFGQ-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMG7401SFGQ-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG7401SFGQ-13价格参考￥57.392740，你可以下载 DMG7401SFGQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG7401SFGQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！