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IPB60R190C6是MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263,包括CoolMOS C6系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于IPB60R1 90C6ATMA1 IPB60R 90C6XT SP000641916,提供单位重量功能,如0.139332盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及CoolMOS商标,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有单通道配置,晶体管类型为1 N通道,Pd功耗为151 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为20.2A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds漏极源极电阻为190mOhm,晶体管极性为N沟道。
IPB60R190C6ATMA1是MOSFET N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作,产品名称显示在用于CoolMOS的数据表注释中,该CoolMOS提供Si等技术特性,系列设计用于XPB60R190以及IPB60R1 90C6XT SP000641916零件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,包装箱为TO-263-3,该设备提供1信道数信道。
IPB60R180P7ATMA1,带有Infineon制造的电路图。是IC芯片的一部分,MOSFET TO263-3,Trans MOSFET N-CH 600V 18A T/R。